ИМПУЛЬСТІК ВАКУУМДЫҚ ДОҒАЛЫҚ ПЛАЗМАДАН ТҰНДЫРЫЛҒАН МЫС ЖАБЫНДАРЫНЫҢ ҚҰРЫЛЫМЫНЫҢ ЭВОЛЮЦИЯСЫ

Авторлар

DOI:

10.26577/JPEOS.2024.v26-i2-a6

Кілт сөздер:

вакуумная дуга, импульсный режим, металлическое покрытие, микроструктура, дефекты

Аңдатпа

Жұмыс вакуумдық доғалық плазмадан тұндырылған металл қабаттарының құрылымын зерттеуге арналған. Температуралық өрістердің жоғары градиенттері әсерінен және тығызды доғаның термиялық плазмалық жағдайында біркелкі емес құрылымды, кеуекті, бетінде металл тамшылары бар жабындар түзіледі. Термиялық плазмадан тұндырылған металл қабаттарын зерттеу осы жабындардың ерекше қасиеттері мен бірегей құрылымына байланысты өзекті болып табылады. Біздің зерттеуіміздің мақсаты импульстік жұмыс режимінде вакуумдық доғаның плазмасынан тұндырылған мыс жабынының құрылымының эволюциясын бақылау болып табылады. Әдістің ерекшелігі мынада: импульстік режим аз энергия тұтынуды қамтиды, сондықтан ол стационарлық доғаға қарағанда үнемді, алайда доғалық плазманың тән физикалық ерекшеліктері сақталады. Тәжірибелік мақсат – энергетика сасында  қолдану үшін алюминийге жұқа мыс қабатын алу. Тәжірибелердің нәтижесінде 15-40 минут тұндыру уақытында алюминий астарларының бетінде мыс қабатының айтарлықтай тығыздалу процесі байқалды. Шөгу уақытының беттік ақаулардың мөлшеріне әсері талданған. Тұндырудан 30 минут бұрын қаптамада нанолшемді жоғары дисперсті сфералық құрылымының түзілуі байқалды, 30 минуттан кейін жабын құрылымының біртектілігі қалың қабатқа айналуы байқалды. Бұл әрекетті нано өлшемді шаң қабаттарының жабынының бастапқы қалыптасуымен түсіндіруге болады. Астар температурасы өзгерген кезде наноөлшемді кластерлер фазалық ауысулармен бірге ұлғаяды және ыдырайды. Ілеспе жағымсыз фактор металл оксиді фазаларының тұндыру болды. Зерттеудің бұл саласын дамыту импульстік доғаларда қабаттың шөгуінің жоғары жылдамдығына қол жеткізілетіндіктен қажет, сондықтан бұл әдісті дамыту арқылы жабындардың қасиеттерін жақсарту қажет

Автор өмірбаяндары

  • А.М. Жукешов, Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті

    Жукешов Ануар Муратович (корреспонденция автора) – доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики плазмы, нанотехнологии и компьютерной физики физико-технического факультета КазНУ имени аль-Фараби (г. Алматы, Казахстан, эл.почта: zhukeshov@physics.kz)

  • А.Т. Габдуллина, Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті

    Габдуллина Асылгул Тулепбергеновна – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Национальной нанотехнологической лаборатории открытого типа (ННЛОТ) при КазНУ имени аль-Фараби (г. Алматы, Казахстан, эл.почта: gabdullyna71@gmail.com)

  • М. Мухамедрыскызы, Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті

    Мухамедрыскызы Маржан – магистр естественных наук, старший преподаватель кафедры физики плазмы, нанотехнологии и компьютерной физики, КазНУ им. аль-Фараби (г. Алматы Казахстан, эл.почта: mukhamedryskyzym@gmail.com)

  • М.И. Пшиков, Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті

    Пшиков Мустахим Искандерович– кандидат физико-математических наук, старший преподаватель кафедры физики плазмы нанотехнологии и компьютерной физики КазНУ им. аль-Фараби (г. Алматы Казахстан, эл.почта: mustahim64@mail.ru)

  • А.У. Амренова, Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті

    Амренова Асем Уахитовна – кандидат физико-математических наук, ст. преподаватель кафедры физики плазмы, нанотехнологии и компьютерной физики, КазНУ им. аль-Фараби (г. Алматы, Казахстан, эл.почта: Amrenova.asem77@gmail.com)

  • Ж.М. Молдабеков, Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті

    Молдабеков Жангали Мусырманкулович – магистр естественных наук, старший преподаватель кафедры физики плазмы, нанотехнологии и компьютерной физики, КазНУ им. аль-Фараби (г. Алматы Казахстан, эл.почта: Zhan.moldabek@gmail.com)

  • У. Абдыбай, Әл-Фараби атындағы Қазақ ұлттық университеті

    Абдыбай Улан – магистр технических наук, докторант кафедры физики плазмы, нанотехнологии и компьютерной физики, КазНУ им. аль-Фараби (г. Алматы Казахстан, эл.почта: abdibayulan@gmail.com)

Жүктеулер

Жарияланды

2024-12-20